Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET, 20 A, 250 V N, 8-Pin PowerPAK SIR692DP-T1-BE3

N
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RS 제품 번호:
851-504
제조사 부품 번호:
SIR692DP-T1-BE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

PowerPAK

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.067Ω

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.05mm

Height

1.04mm

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance MOSFET designed for efficient power management in various electronic systems, ensuring reliability and precision in switching applications.

Utilises ThunderFET technology for optimal RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss balancing

Guaranteed 100% Rg and UIS tested for enhanced reliability

Supports a maximum drain-source voltage of 250V

Minimal on-resistance of 0.063Ω at VGS of 10V ensures low power loss

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