Vishay SISS N-Channel Single MOSFETs, 33.7 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3

N
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RS 제품 번호:
829-346
제조사 부품 번호:
SISS128LDN-T1-UE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

33.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

P

Series

SISS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0156Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.04mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in a Compact package, ensuring reliable operation across various demanding applications.

TrenchFET Gen IV technology enables improved efficiency and thermal performance

Low RDS(on) values, optimising conduction losses during operation

Tested for high reliability with 100% R and UIS stressed units

Robust specifications with a 80V drain-source voltage rating and a maximum current of 33.7A

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