제조사부품번호

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

RS 제품 번호:: 780-669
제조사 부품 번호:: SCT2H12NWBTL1
제조업체:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

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RS 제품 번호:: 780-669
제조사 부품 번호:: SCT2H12NWBTL1
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.7kV
	Package Type	TO
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	0mV
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.5mm
	Length	15.5mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	10.2mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.7kV
	Package Type TO
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 0mV
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.5mm
	Length 15.5mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 10.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT2H12NWBTL1

The ROHM Silicon Carbide MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-voltage industrial power management. This Advanced SiC device is engineered for auxiliary power supplies, ensuring superior thermal conductivity and lower switching losses compared to traditional silicon components.

Drain to source voltage of 1700 V

Continuous drain current of 3.9 A

1.15 Ohm typical on-resistance

High power dissipation of 39 W

ROHM N-Channel MOSFET, 3.9 A, 1.7 kV, 7-Pin TO SCT2H12NWBTL1

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