Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 339 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1

N
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RS 제품 번호:
762-986
제조사 부품 번호:
IQFH99N06NM5ATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

339A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TSON-12

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

115nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Width

6mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

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