Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 2.5 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8916EDB-T6-E1
- RS 제품 번호:
- 735-232
- 제조사 부품 번호:
- SI8916EDB-T6-E1
- 제조업체:
- Vishay
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 unit)*
₩340.00
일시적 품절
- 2027년 6월 07일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 24 | ₩340.00 |
| 25 - 99 | ₩220.00 |
| 100 + | ₩200.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 735-232
- 제조사 부품 번호:
- SI8916EDB-T6-E1
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 75mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.77W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 1.11mm | |
| Length | 1.11mm | |
| Height | 0.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.77W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 1.11mm | ||
Length 1.11mm | ||
Height 0.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
관련된 링크들
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 2.1 A, 20 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8824EDB-T2-E1
- Vishay SI8818EDB Type N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SI8818EDB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT