Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3

N
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RS 제품 번호:
735-213
제조사 부품 번호:
SI2302HDS-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.71W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

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