Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩11,797.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 100 개 단위 배송
  • 2026년 1월 05일 부터 최종 75 개 단위 배송
수량
한팩당
한팩당*
25 - 725₩471.88₩11,787.60
750 +₩462.48₩11,580.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
152-6358
제조사 부품 번호:
SI2302DDS-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

관련된 링크들