Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs, 75 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB175N20NM6ATMA1
- RS 제품 번호:
- 690-440
- 제조사 부품 번호:
- IPB175N20NM6ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 5 units)*
₩20,539.00
일시적 품절
- 2026년 6월 01일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | ₩4,107.80 | ₩20,539.00 |
| 50 - 245 | ₩3,325.72 | ₩16,628.60 |
| 250 - 495 | ₩2,547.40 | ₩12,738.88 |
| 500 + | ₩2,039.80 | ₩10,195.24 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 690-440
- 제조사 부품 번호:
- IPB175N20NM6ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
제정법과 컴플라이언스
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 10.20 mm | |
| Standards/Approvals | ISO 128-30, RoHS | |
| Height | 4.50mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.9mm | ||
Width 10.20 mm | ||
Standards/Approvals ISO 128-30, RoHS | ||
Height 4.50mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
관련된 링크들
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 134 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 176 A, 100 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N10N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 114 A, 150 V N, 3-Pin TO-263 IPB073N15N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V N, 7-Pin TO-263 IPB044N15N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB027N10N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 177 A, 80 V N, 3-Pin TO-263 IPB017N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB024N10N5ATMA1
