Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 134 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1

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RS 제품 번호:
349-400
제조사 부품 번호:
IPB068N20NM6ATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

134A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It offers very low on resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it delivers superior switching performance. This MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing overall efficiency.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

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