Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB024N10N5ATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩45,591.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 5월 11일 부터 145 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
5 - 245₩9,118.20₩45,591.00
250 - 495₩8,888.10₩44,440.50
500 +₩8,751.60₩43,758.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
214-9009
제조사 부품 번호:
IPB024N10N5ATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

100% avalanche tested

Qualified according to JEDEC for target applications

관련된 링크들