ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs, 30 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R4P030N03HZGT100
- RS 제품 번호:
- 646-552
- 제조사 부품 번호:
- R4P030N03HZGT100
- 제조업체:
- ROHM
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tape of 10 units)*
₩5,922.00
일시적 품절
- 2026년 2월 04일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ₩592.20 | ₩5,927.64 |
| 100 - 240 | ₩520.76 | ₩5,213.24 |
| 250 - 990 | ₩468.12 | ₩4,688.72 |
| 1000 - 4990 | ₩379.76 | ₩3,805.12 |
| 5000 + | ₩370.36 | ₩3,699.84 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 646-552
- 제조사 부품 번호:
- R4P030N03HZGT100
- 제조업체:
- ROHM
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | MPT3 | |
| Series | R4P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.30mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.6mm | |
| Width | 4.70 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type MPT3 | ||
Series R4P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.30mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.6mm | ||
Width 4.70 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM 4 volt drive N channel metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports 4 volt drive operation.
AEC-Q101 Qualified
관련된 링크들
- ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R4P020N06HZGT100
- ROHM R2P Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R2P020N06HZGT100
- ROHM RUC Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 RUC002N05HZGT116
- ROHM RSR030N06HZG Type N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RSR030N06HZGTL
- ROHM RTR030N05HZG Type N-Channel MOSFET, 3 A, 45 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RTR030N05HZGTL
- ROHM RD3N03BAT Type P-Channel Single MOSFETs, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 (TL) RD3N03BATTL1
- ROHM N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-89 RHP030N03T100
- ROHM RSR030N06HZG Type N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
