ROHM R2P Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R2P020N06HZGT100
- RS 제품 번호:
- 646-553
- 제조사 부품 번호:
- R2P020N06HZGT100
- 제조업체:
- ROHM
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tape of 10 units)*
₩5,884.40
재고있음
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 100 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ₩588.44 | ₩5,886.28 |
| 100 - 240 | ₩517.00 | ₩5,171.88 |
| 250 - 990 | ₩464.36 | ₩4,645.48 |
| 1000 - 4990 | ₩377.88 | ₩3,784.44 |
| 5000 + | ₩368.48 | ₩3,679.16 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 646-553
- 제조사 부품 번호:
- R2P020N06HZGT100
- 제조업체:
- ROHM
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | R2P | |
| Package Type | MPT3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.30mm | |
| Width | 4.70 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series R2P | ||
Package Type MPT3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.30mm | ||
Width 4.70 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel 60 volt 2 ampere middle power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports low voltage drive with 2 point 5 volt operation.
AEC-Q101 Qualified
관련된 링크들
- ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R4P020N06HZGT100
- ROHM R4P Type N-Channel Single MOSFETs, 30 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R4P030N03HZGT100
- ROHM RHP020N06 Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 RHP020N06T100
- ROHM RSR020N06HZG Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RSR020N06HZGTL
- ROHM RSR020N06HZG Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
- ROHM RUC Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 RUC002N05HZGT116
- ROHM RUR020N02 Type N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin TSMT RUR020N02TL
- ROHM RTR020N05HZG Type N-Channel MOSFET, 2 A, 45 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RTR020N05HZGTL
