STMicroelectronics SCT MOSFET, 55 A, 1200 V H2PAK-7

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩48,917.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 8월 28일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩48,917.60
10 - 99₩44,025.84
100 +₩40,611.76

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
365-166
제조사 부품 번호:
SCT025H120G3-7
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

관련된 링크들