STMicroelectronics HB Type P-Channel MOSFET, 650 V Depletion, 9-Pin ACEPACK SMIT STGSH80HB65DAG

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩35,419.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 200 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩35,419.20
10 - 99₩34,347.60
100 +₩33,313.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
152-183
제조사 부품 번호:
STGSH80HB65DAG
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

ACEPACK SMIT

Series

HB

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Forward Voltage Vf

1.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

456nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Automotive-grade

Height

4.05mm

Width

33.20 mm

Length

25.20mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics device combines two IGBTs and diodes in half-bridge topology mounted on a very Compact and rugged easily surface-mounted package. The device is part of the HB series IGBTs, which is optimized both in conduction and switching losses for soft commutation. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is included in every switch.

AQG 324 qualified

High-speed switching series

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance thanks to DBC substrate

관련된 링크들