STMicroelectronics SuperMESH3 Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 400 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3N40K3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tape of 20 units)*

₩13,009.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 3,760 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tape*
20 - 180₩650.48₩12,990.80
200 - 480₩616.64₩12,332.80
500 - 980₩571.52₩11,411.60
1000 - 1980₩526.40₩10,528.00
2000 +₩507.60₩10,133.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
151-445
제조사 부품 번호:
STN3N40K3
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

SuperMESH3

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.7 mm

Length

6.7mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is the result of improvements applied to Super MESH technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.

Extremely high dv/dt capability

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Improved diode reverse recovery characteristics

Zener protected

관련된 링크들