제조사부품번호

Infineon IGBT, 24 A 600 V TO-263

RS 제품 번호:: 258-7063
제조사 부품 번호:: IKB10N60TATMA1
제조업체:: Infineon

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RS 제품 번호:: 258-7063
제조사 부품 번호:: IKB10N60TATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	24A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Package Type	TO-263
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC1
	Series	TRENCHSTOPTM
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 24A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Package Type TO-263
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC1
	Series TRENCHSTOPTM
	Automotive Standard No

Datasheet - IKB10N60TATMA1

The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.

Lowest VCEsat drop for lower conduction losses

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode

High ruggedness, temperature stable behaviour

Low gate charg

Infineon IGBT, 24 A 600 V TO-263

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