제조사부품번호

Infineon FF750R17ME7DB11BPSA1 IGBT Module, 750 A 1700 V

RS 제품 번호:: 250-0225
제조사 부품 번호:: FF750R17ME7DB11BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF750R17ME7DB11BPSA1 IGBT Module, 750 A 1700 V

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RS 제품 번호:: 250-0225
제조사 부품 번호:: FF750R17ME7DB11BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	750 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	20 mW
	Number of Transistors	2

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 750 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 20 mW
	Number of Transistors 2

Datasheet - FF750R17ME7DB11BPSA1

The Infineon EconoDUAL™ 3 1700 V, 750 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with enlarged emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Integrated temperature sensor
High current density
Low VCE, sat
Overload operation up to 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, sat with positive temperature coefficient
Enlarged diode for regenerative operation
High power density
Isolated base plate
PressFIT contact technology
Standard housing

Infineon FF750R17ME7DB11BPSA1 IGBT Module, 750 A 1700 V

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