Infineon FF225R17ME7B11BPSA1 IGBT Module, 225 A 1700 V
- RS 제품 번호:
- 250-0219
- 제조사 부품 번호:
- FF225R17ME7B11BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 10 | ₩204,446.24 | ₩2,044,462.40 |
| 20 - 20 | ₩200,357.24 | ₩2,003,572.40 |
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- RS 제품 번호:
- 250-0219
- 제조사 부품 번호:
- FF225R17ME7B11BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 225 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 225 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Number of Transistors 2 | ||
The Infineon EconoDUAL™ 3 1700 V, 225 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Integrated temperature sensor
High current density
Low VCE, sat
Overload operation up to 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, sat with positive temperature coefficient
High power density
Isolated base plate
PressFIT contact technology
Standard housing
High current density
Low VCE, sat
Overload operation up to 175°C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, sat with positive temperature coefficient
High power density
Isolated base plate
PressFIT contact technology
Standard housing
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
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