제조사부품번호

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

RS 제품 번호:: 351-921
제조사 부품 번호:: FF750R17ME7DPB11BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

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RS 제품 번호:: 351-921
제조사 부품 번호:: FF750R17ME7DPB11BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	650 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1700 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	20 mW
	Number of Transistors	2
	Configuration	Dual
	Package Type	AG-ECONOD
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	P

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 650 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1700 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 20 mW
	Number of Transistors 2
	Configuration Dual
	Package Type AG-ECONOD
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type P

Datasheet - FF750R17ME7DPB11BPSA1

COO (Country of Origin):: AT

The Infineon EconoDUAL 3 1700 V, 750 A dual TRENCHSTOP IGBT7 module with enlarged emitter controlled 7 diode, NTC, Press FIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material.

Optimized switching losses
Enhanced controllability of dv/dt
Enhanced comic ray robustness
Press FIT control pins
Screw power terminals
Integrated NTC temperature sensor
Pre-applied Thermal Interface Material

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

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