Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 IGBT, 200 A 750 V TO-247
- RS 제품 번호:
- 248-6657
- 제조사 부품 번호:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 unit)*
₩21,845.60
재고있음
- 추가로 2026년 3월 16일 부터 25 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 9 | ₩21,845.60 |
| 10 - 49 | ₩21,319.20 |
| 50 - 99 | ₩20,811.60 |
| 100 - 149 | ₩20,304.00 |
| 150 + | ₩19,815.20 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 248-6657
- 제조사 부품 번호:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 200A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 41.2mm | |
| Width | 15.9 mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 5.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 200A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Package Type TO-247 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 41.2mm | ||
Width 15.9 mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 5.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.
Self limiting current under short circuit condition
Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling
Excellent current sharing in parallel operation
Smooth switching characteristics, low EMI signature
Low gate charge
Simple gate drive design
High reliability
관련된 링크들
- Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 IGBT, 120 A 750 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT, 200 A 750 V TO-247
- Infineon IGBT, 120 A 750 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IKQB200N75CP2AKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 200 A 750 V, 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N,
- Infineon IKQB160N75CP2AKSA1, Type N-Channel IGBT, 200 A 750 V, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N, Through Hole
- Infineon AIKQ120N60CTXKSA1, Type N-Channel IGBT Module, 120 A 2 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGZ100N65H5XKSA1 IGBT, 161 A 650 V TO-247
- Infineon IKQB120N75CP2AKSA1, Type N-Channel IGBT, 120 A 750 V, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N, Through Hole
