제조사부품번호

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5825
제조사 부품 번호:: FF300R12KT4HOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5825
제조사 부품 번호:: FF300R12KT4HOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	1600W
	Number of Transistors	2
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	FF
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 450A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 1600W
	Number of Transistors 2
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series FF
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF300R12KT4HOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 1600 W, maximum gate threshold voltage is 6.4 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FF300R12KT4HOSA1 IGBT Module, 450 A 1200 V

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