제조사부품번호

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5389
제조사 부품 번호:: FP25R12W2T4B11BOMA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

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수량	한팩당	Per Tray*
15 - 15	₩54,510.60	₩817,649.60
30 - 30	₩53,420.20	₩801,293.60
45 +	₩52,352.36	₩785,276.00

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RS 제품 번호:: 244-5389
제조사 부품 번호:: FP25R12W2T4B11BOMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Maximum Power Dissipation	175 W
	Number of Transistors	7

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 39 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Maximum Power Dissipation 175 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP25R12W2T4B11BOMA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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