제조사부품번호

Infineon IKP28N65ES5XKSA1 Single IGBT, 38 A 650 V TO-220-3

RS 제품 번호:: 242-0979
제조사 부품 번호:: IKP28N65ES5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKP28N65ES5XKSA1 Single IGBT, 38 A 650 V TO-220-3

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수량	한팩당	Per Tube*
500 - 500	₩1,996.56	₩998,374.00
1000 - 1000	₩1,949.56	₩974,404.00
1500 +	₩1,910.08	₩954,946.00

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RS 제품 번호:: 242-0979
제조사 부품 번호:: IKP28N65ES5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	38 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	130 W
	Configuration	Single
	Package Type	TO-220-3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 38 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 130 W
	Configuration Single
	Package Type TO-220-3

Datasheet - IKP28N65ES5XKSA1

The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

High speed smooth switching device for hard & soft switching
175°C maximum junction temperature
No need for gate clamping components

Infineon IKP28N65ES5XKSA1 Single IGBT, 38 A 650 V TO-220-3

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