제조사부품번호

Infineon IKP39N65ES5XKSA1 Single IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin PG-TO220

RS 제품 번호:: 226-6105
제조사 부품 번호:: IKP39N65ES5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKP39N65ES5XKSA1 Single IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin PG-TO220

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RS 제품 번호:: 226-6105
제조사 부품 번호:: IKP39N65ES5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	62 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Maximum Power Dissipation	188 W
	Number of Transistors	1
	Package Type	PG-TO220
	Configuration	Single
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 62 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Maximum Power Dissipation 188 W
	Number of Transistors 1
	Package Type PG-TO220
	Configuration Single
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Single

Datasheet - IKP39N65ES5XKSA1

The Infineon IKP39N65ES5 has highest power density in TO-220 footprint and no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.45 V at 25°C
4 times Ic pulse current (100°C Tc)
Maximum junction temperature Tvj 175°C

Infineon IKP39N65ES5XKSA1 Single IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin PG-TO220

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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