Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- RS 제품 번호:
- 215-6608
- 제조사 부품 번호:
- AIGW40N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | ₩5,959.60 | ₩178,804.92 |
| 90 - 120 | ₩5,722.72 | ₩171,664.68 |
| 150 + | ₩5,574.20 | ₩167,209.08 |
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- RS 제품 번호:
- 215-6608
- 제조사 부품 번호:
- AIGW40N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 74 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon high speed H5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
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