제조사부품번호

Infineon FZ2400R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 2.4 kA 3300 V AG-IHVB190

RS 제품 번호:: 236-5197
제조사 부품 번호:: FZ2400R33HE4BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FZ2400R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 2.4 kA 3300 V AG-IHVB190

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RS 제품 번호:: 236-5197
제조사 부품 번호:: FZ2400R33HE4BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	2.4kA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	3300V
	Maximum Power Dissipation Pd	5400kW
	Number of Transistors	3
	Package Type	AG-IHVB190
	Configuration	Single
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	3.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	190mm
	Width	140 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	38.5mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 2.4kA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3300V
	Maximum Power Dissipation Pd 5400kW
	Number of Transistors 3
	Package Type AG-IHVB190
	Configuration Single
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 190mm
	Width 140 mm
	Standards/Approvals No
	Height 38.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FZ2400R33HE4BPSA1

The Infineon single-switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

VCES is 3300 V

IC nom is 2400 A

ICRM is 4800 A

It retains high current density

Infineon FZ2400R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 2.4 kA 3300 V AG-IHVB190

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