Infineon FZ1800R45HL4S7BPSA1 Single IGBT Module, 1.8 kA 4500 V AG-IHVB190
- RS 제품 번호:
- 236-5196
- 제조사 부품 번호:
- FZ1800R45HL4S7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 236-5196
- 제조사 부품 번호:
- FZ1800R45HL4S7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 1.8kA | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4500V | |
| Number of Transistors | 3 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4000kW | |
| Package Type | AG-IHVB190 | |
| Configuration | Single | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 3.15V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 38.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 140 mm | |
| Length | 190mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 1.8kA | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4500V | ||
Number of Transistors 3 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4000kW | ||
Package Type AG-IHVB190 | ||
Configuration Single | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.15V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 38.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 140 mm | ||
Length 190mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon single switch IGBT Module with Trench/Field stop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC base plate is the best solution for HVDC applications. It has high DC stability and high dynamic robustness.
VCES is 4500 V
IC nom is 1800 A
ICRM is 3600 A
It has high short circuit capability
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