Infineon FZ1600R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 1600 A 3300 V AG-IHVB130
- RS 제품 번호:
- 236-5193
- 제조사 부품 번호:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tray of 2 units)*
₩5,702,980.00
재고있음
- 2 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | ₩2,851,490.00 | ₩5,702,980.00 |
| 4 - 4 | ₩2,794,450.80 | ₩5,588,901.60 |
| 6 + | ₩2,710,621.60 | ₩5,421,243.20 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 236-5193
- 제조사 부품 번호:
- FZ1600R33HE4BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 1600A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 3300V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3600kW | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | AG-IHVB130 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 3.25V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Width | 62 mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Length | 109.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 1600A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3300V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3600kW | ||
Number of Transistors 2 | ||
Configuration Single | ||
Package Type AG-IHVB130 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.25V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Width 62 mm | ||
Height 16.4mm | ||
Length 109.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
VCES is 3300 V
IC nom is 1600 A
ICRM is 3200 A
It retains high current density
관련된 링크들
- Infineon FZ1600R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 1.6 kA 3300 V AG-IHVB130
- Infineon FZ2400R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 2.4 kA 3300 V AG-IHVB190
- Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130
- Infineon FZ1800R45HL4BPSA1 Single IGBT Module, 1.8 kA 4500 V AG-IHVB190
- Infineon FZ1800R45HL4S7BPSA1 Single IGBT Module, 1.8 kA 4500 V AG-IHVB190
- Infineon FF600R07ME4BPSA1 IGBT AG-ECONOD-411
- Infineon FP50R06KE3BPSA1 IGBT 600 V AG-ECONO2C-311
- Infineon FP35R12W2T7BPSA1 IGBT AG-EASY2B-711
