제조사부품번호

Infineon, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole

RS 제품 번호:: 222-4799
제조사 부품 번호:: FP35R12W2T7B11BOMA1
제조업체:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole

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RS 제품 번호:: 222-4799
제조사 부품 번호:: FP35R12W2T7B11BOMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	35A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Number of Transistors	7
	Package Type	AG-EASY2B
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	31
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.6V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	48 mm
	Series	FP35R12W2T7-B11
	Length	56.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	16.4mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 35A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Number of Transistors 7
	Package Type AG-EASY2B
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 31
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 48 mm
	Series FP35R12W2T7-B11
	Length 56.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 16.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP35R12W2T7B11BOMA1

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat

TRENCHSTOP™ IGBT7

Overload operation up to 175°C

2.5 kV AC 1min insulation

Al2O3 substrate with low thermal resistance

High power density

Compact design

PressFIT contact technology

Infineon, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole

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