Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 215-6677
- 제조사 부품 번호:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
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| 10 - 98 | ₩8,619.80 | ₩17,239.60 |
| 100 - 248 | ₩8,403.60 | ₩16,807.20 |
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- RS 제품 번호:
- 215-6677
- 제조사 부품 번호:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 85A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 273W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 85A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 273W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
관련된 링크들
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKZ75N65ES5XKSA1 Single IGBT, 80 A 1.42 V PG-TO247-4
- Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 100 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKZA50N65EH7XKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,
- Infineon IKZA75N65EH7XKSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 80 A 650 V, 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,