Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 215-6676
- 제조사 부품 번호:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tube of 30 units)*
₩167,846.40
일시적 품절
- 210 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | ₩5,594.88 | ₩167,846.40 |
| 90 - 120 | ₩5,371.16 | ₩161,134.80 |
| 150 + | ₩5,232.04 | ₩156,944.28 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 215-6676
- 제조사 부품 번호:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 85A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 273W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 85A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 273W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
관련된 링크들
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKZ75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 100 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 100 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
