제조사부품번호

Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6675
제조사 부품 번호:: IKW75N65EH5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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10 - 98	₩9,174.40	₩18,348.80
100 - 248	₩9,005.20	₩18,010.40
250 - 498	₩8,836.00	₩17,672.00
500 +	₩8,685.60	₩17,371.20

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RS 제품 번호:: 215-6675
제조사 부품 번호:: IKW75N65EH5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	395 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 395 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKW75N65EH5XKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with high speed H5 technology.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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