Infineon IKP40N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 215-6663
- 제조사 부품 번호:
- IKP40N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 5 units)*
₩19,006.80
일시적 품절
- 2026년 8월 06일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ₩3,801.36 | ₩19,006.80 |
| 10 - 95 | ₩3,729.92 | ₩18,649.60 |
| 100 - 245 | ₩3,666.00 | ₩18,330.00 |
| 250 - 495 | ₩3,598.32 | ₩17,991.60 |
| 500 + | ₩3,530.64 | ₩17,653.20 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 215-6663
- 제조사 부품 번호:
- IKP40N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
관련된 링크들
- Infineon, Type N-Channel IGBT in TRENCHSTOP TM 5 Technology, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Module, 30 A 650 V TO-220
- Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
- Infineon IKP28N65ES5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- Infineon IKP15N65F5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKP08N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKP39N65ES5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IKP40N65F5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
