제조사부품번호

Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6637
제조사 부품 번호:: IHW30N65R5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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수량	한팩당	Per Tube*
30 - 60	₩2,408.28	₩72,231.48
90 - 120	₩2,312.40	₩69,355.08
150 +	₩2,252.24	₩67,550.28

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RS 제품 번호:: 215-6637
제조사 부품 번호:: IHW30N65R5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	176 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 176 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW30N65R5XKSA1

The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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