제조사부품번호

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

RS 제품 번호:: 226-6112
제조사 부품 번호:: IKW30N65EL5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

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RS 제품 번호:: 226-6112
제조사 부품 번호:: IKW30N65EL5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	227 W
	Package Type	PG-TO247
	Configuration	Single
	Channel Type	N
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 227 W
	Package Type PG-TO247
	Configuration Single
	Channel Type N
	Pin Count 3

Datasheet - IKW30N65EL5XKSA1

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Qualified according to JEDEC for target applications

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

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