Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 IGBTs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 30 units)*

₩115,845.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 3월 09일 부터 570 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
30 - 120₩3,861.52₩115,845.60
150 +₩3,476.12₩104,266.68

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
226-6112
제조사 부품 번호:
IKW30N65EL5XKSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Height

5.3mm

Length

41.9mm

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Width

16.3 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG

Maximum junction temperature 175°C

Qualified according to JEDEC for target applications

관련된 링크들