제조사부품번호

STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

RS 제품 번호:: 206-6065
제조사 부품 번호:: STGWA30IH65DF
제조업체:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 30 units)*

₩195,031.20

일시적 품절

2026년 6월 29일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	Per Tube*
30 - 30	₩6,501.04	₩195,014.28
60 - 90	₩6,369.44	₩191,100.12
120 +	₩6,243.48	₩187,287.48

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 206-6065
제조사 부품 번호:: STGWA30IH65DF
제조업체:: STMicroelectronics

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current	60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	108 W
	Package Type	TO-247
	Pin Count	4

	모두 선택
	브랜드 STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current 60 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 108 W
	Package Type TO-247
	Pin Count 4

Datasheet - STGWA30IH65DF

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
Positive VCE(sat) temperature coefficient

STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

관련된 링크들