Infineon RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323
- RS 제품 번호:
- 273-7303
- 제조사 부품 번호:
- BFR181WH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-7303
- 제조사 부품 번호:
- BFR181WH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | Pb-Free (RoHS) | |
| Series | BFR181W | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals Pb-Free (RoHS) | ||
Series BFR181W | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Easy to use
Halogen free
Pb free package
RoHS compliant
With visible leads
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