Infineon BFP183E7764HTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor, 65 mA, 20 V, 4-Pin SOT-143
- RS 제품 번호:
- 273-7292
- 제조사 부품 번호:
- BFP183E7764HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 273-7292
- 제조사 부품 번호:
- BFP183E7764HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-143 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Series | BFP183 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-143 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Series BFP183 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Pb free package
RoHS compliant
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