STMicroelectronics, High temperature 20 A SCR 600 V, 20 A 10 mA 180 A 1.6 V
- RS 제품 번호:
- 192-5040P
- 제조사 부품 번호:
- TN2010H-6G
- 제조업체:
- STMicroelectronics
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- RS 제품 번호:
- 192-5040P
- 제조사 부품 번호:
- TN2010H-6G
- 제조업체:
- STMicroelectronics
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | |
| Product Type | High temperature 20 A SCR | |
| Rated Average On-State Current Irms | 20A | |
| Thyristor Type | SCR | |
| Package Type | TO-263 | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM | 600V | |
| Surge Current Rating | 180A | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Gate Trigger Current Igt | 10mA | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Holding Current Ih | 40mA | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Trigger Voltage Vgt | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | TN | |
| Standards/Approvals | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Repetitive Peak Off-State Current | 5μA | |
| Peak On-State Voltage | 1.6V | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 STMicroelectronics | ||
Product Type High temperature 20 A SCR | ||
Rated Average On-State Current Irms 20A | ||
Thyristor Type SCR | ||
Package Type TO-263 | ||
Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM 600V | ||
Surge Current Rating 180A | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Gate Trigger Current Igt 10mA | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Holding Current Ih 40mA | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Trigger Voltage Vgt 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series TN | ||
Standards/Approvals UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Automotive Standard No | ||
Repetitive Peak Off-State Current 5μA | ||
Peak On-State Voltage 1.6V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This device offers high thermal performance during operation of up to 20 ARMS, thanks to a junction temperature of up to 150 °C. Its D²PAK package allows modern SMD designs as well as compact back to back configuration.The combination of noise immunity and low gate triggering current allows to design strong and compact control circuits.
High junction temperature: Tj = 150 °C
High noise immunity dV/dt = 400 V/μs up to 150 °C
Gate triggering current IGT = 10 mA
Peak off-state voltage VDRM/VRRM = 600 V
High turn on current rise dI/dt = 100 A/μs