Infineon SRAM, CY14B101PA-SFXI- 1 MB
- RS 제품 번호:
- 181-8377
- 제조사 부품 번호:
- CY14B101PA-SFXI
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 181-8377
- 제조사 부품 번호:
- CY14B101PA-SFXI
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Memory Size | 1MB | |
| Product Type | SRAM | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Number of Words | 128k | |
| Number of Bits per Word | 8 | |
| Maximum Random Access Time | 15ns | |
| Address Bus Width | 8bit | |
| Maximum Clock Frequency | 104MHz | |
| Minimum Supply Voltage | 2.4V | |
| Timing Type | Synchronous | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Supply Voltage | 2.6V | |
| Package Type | SOIC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Pin Count | 16 | |
| Width | 7.59 mm | |
| Height | 2.36mm | |
| Length | 10.49mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | CY14B101PA | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Memory Size 1MB | ||
Product Type SRAM | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Number of Words 128k | ||
Number of Bits per Word 8 | ||
Maximum Random Access Time 15ns | ||
Address Bus Width 8bit | ||
Maximum Clock Frequency 104MHz | ||
Minimum Supply Voltage 2.4V | ||
Timing Type Synchronous | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Supply Voltage 2.6V | ||
Package Type SOIC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Pin Count 16 | ||
Width 7.59 mm | ||
Height 2.36mm | ||
Length 10.49mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series CY14B101PA | ||
Automotive Standard No | ||
The Cypress CY14X101PA combines a 1-Mbit nv SRAM[1] with a full-featured RTC in a monolithic integrated circuit with serial SPI interface. The memory is organized as 128K words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate the Quantum Trap technology, creating the worlds most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while the Quantum Trap cells provide highly reliable nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile elements (STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation).You can also initiate the STORE and RECALL operations through SPI instruction.
