Infineon RF Amplifier Low Noise 17.8 dB, 6-Pin 1300 MHz TSNP
- RS 제품 번호:
- 258-0667
- 제조사 부품 번호:
- BGA855N6E6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 258-0667
- 제조사 부품 번호:
- BGA855N6E6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Operating Frequency | 1300 MHz | |
| Amplifier Type | Low Noise | |
| Product Type | RF Amplifier | |
| Technology | Silicon Germanium | |
| Gain | 17.8dB | |
| Minimum Supply Voltage | 1.1V | |
| Package Type | TSNP | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Supply Voltage | 3.3V | |
| P1dB - Compression Point | 60mW | |
| Noise Figure | 1.1dB | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Third Order Intercept OIP3 | 0dBm | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BGA855N6 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Operating Frequency 1300 MHz | ||
Amplifier Type Low Noise | ||
Product Type RF Amplifier | ||
Technology Silicon Germanium | ||
Gain 17.8dB | ||
Minimum Supply Voltage 1.1V | ||
Package Type TSNP | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Supply Voltage 3.3V | ||
P1dB - Compression Point 60mW | ||
Noise Figure 1.1dB | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Third Order Intercept OIP3 0dBm | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BGA855N6 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low noise amplifier is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5 especially for very high accuracy. Besides GPS L5 and L2, the GNSS LNA also covers Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2 and Beidou B3 and B2 bands. The high linearity performance of BGA855N6 ensures best sensitivity for the operation in 4G & 5G NSA configurations.
High linearity performance IIP3 of 0 dBm
Low current consumption of 4.8 mA
Ultra small TSNP-6-10 leadless package
RF output internally matched to 50 Ohm
Only one external matching component needed
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