Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF5210STRLPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩21,432.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 45 개 단위 배송 준비 완료
  • 추가로 2026년 1월 01일 부터 3,295 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 195₩4,286.40₩21,432.00
200 - 395₩4,177.36₩20,886.80
400 +₩4,113.44₩20,567.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
831-2825
제조사 부품 번호:
IRF5210STRLPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.83mm

Width

9.65 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-44-445

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

관련된 링크들