Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3

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RS 제품 번호:
812-3123
제조사 부품 번호:
SI2337DS-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-50°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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