Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 787-9222
- Distrelec 제품 번호:
- 304-02-277
- 제조사 부품 번호:
- SI2333DDS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 787-9222
- Distrelec 제품 번호:
- 304-02-277
- 제조사 부품 번호:
- SI2333DDS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2333DDS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 19Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.7W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2333DDS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 19Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.7W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.04mm | ||
Width 1.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay Si2333DDS Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
- Vishay Si2323DDS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
- Vishay Si2304DDS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392BDS-T1-GE3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2338DS-T1-GE3
- Vishay Si2377EDS Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2377EDS-T1-GE3