Vishay D Series N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V, 3-Pin DPAK SIHD3N50D-GE3
- RS 제품 번호:
- 787-9143
- 제조사 부품 번호:
- SIHD3N50D-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 787-9143
- 제조사 부품 번호:
- SIHD3N50D-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Package Type | DPAK (TO-252) | |
| Series | D Series | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Maximum Power Dissipation | 104 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Material | Si | |
| Length | 6.73mm | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 3 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 500 V | ||
Package Type DPAK (TO-252) | ||
Series D Series | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 3.2 Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 3V | ||
Maximum Power Dissipation 104 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Transistor Material Si | ||
Length 6.73mm | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 6 nC @ 10 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V, 3-Pin DPAK SIHD186N60EF-GE3
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD6N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

