Vishay Single D Series Type N-Channel MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- RS 제품 번호:
- 787-9143
- 제조사 부품 번호:
- SIHD3N50D-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
사용할 수 없음
RS는 더 이상 이 제품을 입고하지 않습니다.
대체품
이 제품은 현재 공급 불가입니다. 아래 제품들은 당사에서 추천드리는 대체품입니다.
개당가격(50개가 1튜브안에)
₩62,244.00
- RS 제품 번호:
- 787-9143
- 제조사 부품 번호:
- SIHD3N50D-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | D Series | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30, -30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Width | 6.22mm | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series D Series | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30, -30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Width 6.22mm | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay D Series Type N-Channel Power MOSFET, 3 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD6N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3
- Vishay EF Series N channel-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD250N60EF-GE3
