Vishay E Type N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG47N60E-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩14,532.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 8 개 단위 배송
  • 추가로 2026년 1월 05일 부터 247 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 6₩14,532.40
7 - 12₩14,175.20
13 +₩13,949.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
768-9332
제조사 부품 번호:
SiHG47N60E-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

64mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31 mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Height

20.7mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features


Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


관련된 링크들