Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 710-3238
- 제조사 부품 번호:
- SI2301CDS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 20 units)*
₩8,836.00
단종되는 중
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 260 개 단위 배송
- 2026년 1월 05일 부터 최종 2,680 개 단위 배송
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | ₩441.80 | ₩8,836.00 |
| 760 - 1480 | ₩432.40 | ₩8,629.20 |
| 1500 + | ₩424.88 | ₩8,478.80 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 710-3238
- 제조사 부품 번호:
- SI2301CDS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Si2301CDS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 112mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 860mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Si2301CDS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 112mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 860mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2343CDS Type P-Channel MOSFET, 5.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2343CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-E3
- Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
- Vishay Si2305CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3
- Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET, 5.6 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318CDS-T1-GE3