Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 279-9936
- 제조사 부품 번호:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 279-9936
- 제조사 부품 번호:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SO-8L | |
| Series | SIJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0207Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SO-8L | ||
Series SIJ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0207Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Less voltage drop
Reduces conduction loss
Fully lead (Pb)-free device
관련된 링크들
- Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 56.7 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3
- Vishay SIJ Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3
- Vishay SiJ462ADP Type N-Channel MOSFET, 39.3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ462ADP-T1-GE3
- Vishay SiJ128LDP Type N-Channel MOSFET, 25.5 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ128LDP-T1-GE3
