Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 279-9935
- 제조사 부품 번호:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 279-9935
- 제조사 부품 번호:
- SIJ4819DP-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SIJ | |
| Package Type | SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0207Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SIJ | ||
Package Type SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0207Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Less voltage drop
Reduces conduction loss
Fully lead (Pb)-free device
관련된 링크들
- Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3
- Vishay SIJ N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4106DP-T1-GE3
- Vishay SIJ N-Channel MOSFET, 56.7 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4108DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET, 60 A, 80 V PowerPAK SO-8L SIJ482DP-T1-GE3
- Vishay SIJ4406DP N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3
- Vishay SiJ462ADP N-Channel MOSFET, 39.3 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ462ADP-T1-GE3

