Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB150N60E-GE3

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RS 제품 번호:
279-9905
제조사 부품 번호:
SIHB150N60E-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

SIHB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

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